3D 飞点分光干涉技术：这是一种光学测量方法，通过对光的干涉现象进行测量，可以实现对半导体晶圆表面形貌、厚度等参数的高精度检测。该技术具有较高的测量精度和速度，能够大大提高半导体晶圆检测的效率，并且具有良好的抗干扰性能，可在复杂的环境中稳定工作。中科行智的 3D 飞点分光干涉仪已成功应用于多家知名企业的生产线，为半导体企业在产品设计和工艺优化方面提供了有力支持2。

白光共焦技术：在半导体封测阶段，该技术可用于工件的 3D 形貌测量。其具备亚微米级别超高测量精度，可兼容多种不同材料，从镜面反射到漫反射、从透明材料到不透明材料均可适用，能够检测芯片是否存在设计缺陷或者制造过程导致的物理异常。

激光三角测量技术：利用激光照射物体，通过测量激光反射角度或位移来确定物体的形状、位置等信息。在半导体测量中，可用于测量晶圆的平整度、翘曲度等参数，具有非接触、高精度、快速测量等优点。

扫描电子显微镜（SEM）技术：可以提供高分辨率的图像，用于观察半导体器件的表面形貌、微观结构和缺陷等。通过电子束扫描样品表面，激发二次电子、背散射电子等信号，从而获得样品的表面信息。在半导体制造中，SEM 技术对于检测光刻工艺后的图形质量、芯片表面的缺陷以及分析材料的微观结构非常重要。

聚焦离子束（FIB）技术：FIB 系统可以将离子束聚焦到非常小的尺寸，用于对半导体样品进行微加工和分析。例如，可以进行截面切割，以便观察芯片内部的结构和缺陷；还可以进行材料沉积和刻蚀等操作，用于修复芯片或制作纳米级的结构。FIB 技术与 SEM 技术相结合，可以实现对半导体器件的三维分析和表征。

X 射线衍射（XRD）技术：用于分析半导体材料的晶体结构和晶格参数。通过测量 X 射线在晶体中的衍射角度和强度，可以确定材料的晶体结构、相组成以及晶体的取向等信息。在半导体材料的研发和生产过程中，XRD 技术对于材料的质量控制和性能优化具有重要意义。

X 射线荧光（XRF）技术：可以快速、无损地分析半导体材料中的元素组成和含量。XRF 技术通过测量 X 射线激发样品后产生的荧光辐射，来确定样品中各种元素的存在和浓度。该技术在半导体材料的成分分析、杂质检测以及薄膜厚度测量等方面具有广泛的应用。

电容 - 电压（C - V）测量技术：用于测量半导体器件的电容与电压之间的关系，从而获取器件的电学特性，如掺杂浓度、界面态密度等信息。C - V 测量技术对于半导体器件的性能评估和工艺监控非常重要，特别是在 MOS 器件、二极管等的研究和生产中应用广泛。

电阻测量技术：包括四探针电阻测量、范德堡法等，用于测量半导体材料的电阻率和电阻。这些技术可以帮助确定半导体材料的导电性能，对于半导体材料的研发和质量控制具有重要意义。

机器学习和深度学习算法：应用于半导体测量数据的分析和处理，可以自动识别和分类缺陷，预测器件的性能和可靠性。例如，通过对大量的图像数据进行训练，机器学习算法可以快速准确地识别晶圆上的缺陷类型和位置，提高检测效率和准确性。

智能传感器技术：将传感器与人工智能技术相结合，实现对半导体测量数据的实时监测和分析。智能传感器可以根据测量数据自动调整测量参数，提高测量的准确性和可靠性，并且能够实现远程监控和故障诊断。